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[89/92/V200] 适用于TI-89T的MOS管直流工作点计算器

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发表于 2021-8-25 00:18:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
虽然TI-89T中内置了EE pro程序,遗憾的是,在此程序中使用的MOS管(确切的说,是NMOS)转移特性方程是错误的。因此重新编写了计算MOS管(NMOS,PMOS)的直流工作点计算器,并实现了“根据各点电压、尺寸和模型参数计算漏极电流”或“根据漏极电流、过驱动电压计算沟道宽度”的功能。

计算采用的模型:Shichman and Hodges Model (SPICE LEVEL 1),考虑体效应和沟道长度调制效应,不考虑短沟道效应。

参数说明:(特别注意:NMOS中各电压和漏极电流取正,PMOS中各电压和漏极电流取负)
VTO-无体效应时的阈值电压(V)
GAMMA-体效应系数(V^(1/2))
PHI-沟道表面能级(V)
UO-载流子迁移率((m^2)/(V*s))
LAMBDA-沟道长度调制系数(V^(-1))
TOX-栅氧厚度(m)
VTH-考虑体效应的阈值电压(V)
VGS-栅极-源极电压(V)
VDS-漏极-源极电压(V)
VSB-源极-衬底电压(V)
VOD-过驱动电压(V)

参考资料《模拟CMOS集成电路设计》

idcalc.89p

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